成果详情 新型半导体功率器件-分裂栅沟槽MOSFET,作为一种新型功率器件,具有低导通电阻Ron,低栅极电荷Qg,可以降低成本,且降低开关损耗,非常适合在高速开关场合使用,逐渐在中低压功率MOSFET领域占有越来越重要的地位。SGT 结构利用类超结结构辅助漂移区电荷耗尽以降低导通电阻,并且引入屏蔽结构屏蔽栅极以降低输入电容,先进的结构改进极大降低了所应用电力电子系统的功耗,同时在装置小型化方面起到了积极的推动作用。深沟槽MOSFET在深沟槽中形成厚氧化层,通常称为场氧,并淀积多晶,形成栅极并接零电位,延长的柵极多晶硅作为场板,增强沟槽之间的横向耗尽,这样就达到了跟超结一样的效果,在相同耐压下,可以降低外延电阻率,进而减小导通电阻,与传统的Trench MOSFET相比,Split Gate MOSFET在沟槽内增加了Source poly, Source Poly在结构中起到场板的作用,通过引入Source poly改变N-漂移区电场分布,由原来普通Trench MOS的垂直方向三角形电场分布,变成梯形电场分布,知道电场的积分就是电压,Y方向的电场下围起来的面积就代表电压,面积越大则器件的耐压也越大,普通Trench MOSFET形成三角形电场,SGT MOSFET(梯形电场,由三角形电场分布到梯形电场分布,电场所围的面积变大,使得高器件耐压得到提高,这就是说在相同的耐压条件下,SGT MOSFET可以增加衬底漂移区的掺杂浓度,从而达到降低导通电阻的目的。
另一方面,因为引入Soure poly隔离了栅极和漏极,使得Cgd(栅漏电容)大大减小,Cgd又称为弥勒电容,在MOSFET开关过程中起到主要作用,Cgd的减小使得SGT MOSFET具有更高的开关速度和更低的开关损耗,更高的 Ciss和“Miller”电容(Cgd)比值(Ciss/Cgd)改善了器件的dv/dt处理能力,使SGT型器件拥有更高的抗漏极电压震荡对栅极影响的能力。
SGT mos可以广泛的应用到新能源车、电动工具、无人机、机器人锂电保护等应用,增加保护时长及能量转换效率。
知识产权情况 暂无
应用效果及市场前景 暂无
技术优势 暂无